ఎలక్ట్రికల్ ఇంజనీరింగ్ మరియు ఎలక్ట్రానిక్ టెక్నాలజీ జర్నల్

GaN-ఆధారిత హెటెరోస్ట్రక్చర్ కోసం టూ-డైమెన్షనల్ ఎలక్ట్రాన్ వాయువుల అధ్యయనం

రెహమాన్ MS, బాబుయా SK, మహఫుజ్ MA, సిద్దికి FBT మరియు మహమూద్ ZH

స్వీయ-స్థిరమైన ష్రోడింగర్-పాయిసన్ ఈక్వేషన్ సిమ్యులేటర్‌ని ఉపయోగించి AlGaN/GaN, AlN/GaN మరియు InGaN/GaN హెటెరోస్ట్రక్చర్‌ల కోసం టూ డైమెన్షనల్ ఎలక్ట్రాన్ గ్యాస్ (2DEG) షీట్ క్యారియర్ డెన్సిటీని పరిశోధిస్తారు. అనుకరణ 2DEG సాంద్రత స్వభావం యొక్క లక్షణాల వెనుక ఉన్న అంతర్లీన భౌతిక శాస్త్రాన్ని కూడా పరిగణనలోకి తీసుకుంటుంది. మిశ్రమం కూర్పుపై 2DEG సాంద్రత ఆధారపడటం, ఛానెల్ పొర యొక్క మందం మరియు గేట్ వోల్టేజ్ మార్పు ప్రక్రియలో పరిశోధించబడతాయి. ఈ అనుకరణ వివిధ హెటెరోస్ట్రక్చర్‌ల మధ్య 2DEG షీట్ క్యారియర్ సాంద్రత యొక్క పోలికను ప్రదర్శిస్తుంది. AlGaN/GaN కోసం పొందబడిన గరిష్ట 2DEG షీట్ క్యారియర్ సాంద్రత 1.76×10 ¹³ cm ^-2 , AlN/GaN కోసం 2.16×10 ¹³ cm ^-2 మరియు InGaN/GaN కోసం 1.82×10 ¹³ cm ^-2 ఎటువంటి బయాస్ వోల్టేజ్ లేకుండా.