జర్నల్ ఆఫ్ నానోమెటీరియల్స్ & మాలిక్యులర్ నానోటెక్నాలజీ

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ ద్వారా తయారు చేయబడిన విత్తనాలతో పాటు సమలేఖనం చేయబడిన ZnO నానోరోడ్‌ల యొక్క హైడ్రోథర్మల్ గ్రోత్ మరియు క్వాంటం డాట్స్ సెన్సిటైజ్డ్ ఫోటోవోల్టాయిక్ సెల్స్‌లో దాని అప్లికేషన్లు

హైపింగ్ వాంగ్, కియోంగ్ మా, హైహోంగ్ నియు, జియోలీ మావో, లీ వాన్, జిన్‌జాంగ్ జు మరియు షిడింగ్ మియావో

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ ద్వారా తయారు చేయబడిన విత్తనాలతో పాటు సమలేఖనం చేయబడిన ZnO నానోరోడ్‌ల యొక్క హైడ్రోథర్మల్ గ్రోత్ మరియు క్వాంటం డాట్స్ సెన్సిటైజ్డ్ ఫోటోవోల్టాయిక్ సెల్స్‌లో దాని అప్లికేషన్లు

బాగా సమలేఖనం చేయబడిన ZnO నానోరోడ్‌లు హైడ్రోథర్మల్ మార్గం ద్వారా వాహక ఉపరితలంపై పెంచబడ్డాయి. రేడియో ఫ్రీక్వెన్సీ (RF) మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ యొక్క సాంకేతికత ద్వారా సబ్‌స్ట్రేట్‌లు ZnOతో ముందే సీడ్ చేయబడ్డాయి. స్పుట్టరింగ్ పవర్, ఎనియలింగ్ ట్రీట్‌మెంట్ మరియు చివరిగా తయారుచేసిన ZnO నానోరోడ్‌ల స్వరూపాలపై విత్తనాల పరిమాణం యొక్క ప్రభావాలు అధ్యయనం చేయబడ్డాయి. RF స్పుట్టరింగ్ ప్రయోగాల ఫలితంగా ఏర్పడే ZnO విత్తనాల నియంత్రణ ద్వారా ZnO రాడ్‌ల పొడవు మరియు కారక నిష్పత్తిని సులభంగా ట్యూన్ చేయవచ్చని కనుగొనబడింది. తక్కువ స్పుట్టరింగ్ శక్తి (100~125 W) వద్ద జమ చేయబడిన ZnO విత్తనాలు చిన్న సగటు పరిమాణం (~30 nm)తో ఏకరీతి పరిమాణ పంపిణీని పంచుకుంటాయి. అధిక స్పుట్టరింగ్ శక్తి ~12.5 వరకు అధిక కారక నిష్పత్తితో పొడవైన ZnO రాడ్‌లను అందిస్తుంది. ఎనియలింగ్ (~500ºC) తర్వాత విత్తన పొరలు పెరిగిన సగటు వ్యాసం మరియు చిన్న కారక నిష్పత్తితో ZnO రాడ్‌లను ఉత్పత్తి చేస్తాయి మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ కణాలలో తయారు చేయబడిన ZnO నానో-శ్రేణులను ఎలక్ట్రోడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లుగా ఉపయోగించినప్పుడు ఈ లక్షణాలు ఎలక్ట్రాన్ బదిలీకి ప్రయోజనం చేకూరుస్తాయి. ZnO నానో-రాడ్‌పై హైడ్రోఫిలిక్ CdSe క్వాంటం డాట్‌లను (QDs) నిక్షేపించడం ద్వారా, ZnO నానోరోడ్‌లో ~2.75 μm పొడవు మరియు ~9.5 కారక నిష్పత్తితో గరిష్ట ఫోటో నుండి ప్రస్తుత సామర్థ్యం (0.42%) పొందబడింది. ఎనియలింగ్ తర్వాత విత్తనాలు.