జర్నల్ ఆఫ్ నానోమెటీరియల్స్ & మాలిక్యులర్ నానోటెక్నాలజీ

సింథసైజ్డ్ ZnO నానోపార్టికల్స్ యొక్క పరిశోధన

సెయిడా చోలక్ మరియు కాంగుల్ అక్టర్క్

ప్రస్తుత అధ్యయనంలో, అన్‌డోప్ చేయబడిన ZnO మరియు Mn, Cu మరియు Co డోప్డ్ (5 mol%) ZnO నానోపార్టికల్స్ హైడ్రోసిస్ పద్ధతి ద్వారా సంశ్లేషణ చేయబడ్డాయి మరియు ఈ నమూనాల నిర్మాణ, ఆప్టికల్, అయస్కాంత లక్షణాలు ప్రదర్శించబడ్డాయి. XRD విశ్లేషణ ద్వారా అన్‌డోప్ చేయబడిన మరియు డోప్ చేయబడిన ZnO నానోపార్టికల్స్ యొక్క క్రిస్టల్ పరిమాణాలు ∼12 nmగా నిర్ణయించబడ్డాయి. ZnO నానోపార్టికల్స్ యొక్క స్ఫటికాకార పరిమాణం డోపింగ్ ప్రక్రియ ద్వారా తగ్గినట్లు గమనించబడింది. ఆక్సిజన్ మరియు జింక్ డ్యామేజ్ సెంటర్‌లతో సంబంధం కలిగి ఉన్న Ia మరియు Ib అనే అదనపు రెండు రెసొనెన్స్ పీక్‌లతో కూడిన ఒకే, విస్తృత మరియు పరిష్కరించని EPR సిగ్నల్, మరియు అన్‌డోప్ చేయబడిన ZnO నానోపార్టికల్స్ కోసం ఉద్భవించింది. Mn, Cu మరియు Co డోప్డ్ ZnO నానోపార్టికల్స్‌కు వరుసగా ఆరు పరిష్కరించబడిన, నాలుగు పరిష్కరించబడిన మరియు ఒకే పరిష్కరించబడని EPR రెసొనెన్స్ సిగ్నల్‌లు కూడా రికార్డ్ చేయబడ్డాయి. UV రేడియేషన్ అన్‌డోప్డ్ మరియు డోప్డ్ ZnO నానోపార్టికల్స్‌కు కొన్ని ఆర్గానోలెప్టిక్ మార్పులకు కారణమైంది. అలాగే, UV-రేడియేటెడ్ ZnO నానోపార్టికల్స్ కోసం కొన్ని కొత్త EPR రెసొనెన్స్ లైన్లు కూడా పుట్టుకొచ్చాయి, ఇవి UVirradiation ప్రక్రియలో ఆక్సిజన్ మరియు/లేదా జింక్ డ్యామేజ్ సెంటర్ల ఏర్పాటు నుండి ఉద్భవించాయని అంగీకరించబడింది. UV-Vis అధ్యయనాల నుండి, సంశ్లేషణ చేయబడిన ZnO నానోపార్టికల్స్ కోసం శోషణ శిఖరాలు ∼ 360 nm వద్ద కనిపించాయి మరియు సగటు గ్యాప్ శక్తి 3.20-3.32 eVగా లెక్కించబడుతుంది. అన్‌డోప్ చేయబడిన ZnO యొక్క బ్యాండ్ గ్యాప్ ఎనరీ డోపింగ్ ప్రక్రియ ద్వారా తగ్గినట్లు కనుగొనబడింది.